| 发明名称 | 一种晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为5-150KeV，剂量范围为3e15-3e12cm<sup>-2</sup>，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。本发明提供的制作方法在保持晶体管的特征频率的前提下，提高了晶体管的集电极-基极反向击穿电压，从而提高了晶体管的整体性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101916724B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201010235711.9 | 申请日期 | 2010.07.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 吴小利;唐树澍 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；其特征在于，所述方法还包括：以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为5KeV至150KeV，剂量范围为3e15cm<sup>‑2</sup>至3e12cm<sup>‑2</sup>，所述离子注入的次数为三次，第一次离子注入的能量为5KeV至10KeV，剂量为1e15cm<sup>‑2</sup>至3e15，第二次离子注入的能量为30KeV至50KeV，剂量为3e12cm<sup>‑2</sup>至1e13，第三次离子注入的能量为80KeV至120KeV，剂量为3e12cm<sup>‑2</sup>至1e13cm<sup>‑2</sup>，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||