发明名称 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
摘要 <p>본 발명에 관한 스퍼터링 타깃은 스퍼터링 타깃의 F, S, Se을 제외한 금속 성분으로서, Ga:10∼40at%, Na:1.0∼15at%를 함유하고, 잔량부가 Cu 및 불가피 불순물을 포함하는 성분 조성을 갖고, Na이 불화나트륨, 황화나트륨 및 셀레늄화나트륨 중 적어도 1종을 포함하는 Na 화합물의 상태로 함유되고, 이론 밀도비가 90% 이상, 항절 강도가 100N/㎟ 이상, 벌크 비저항이 1mΩㆍ㎝ 이하이고, 타깃 표면의 1㎠ 면적 내에, 0.05㎟ 이상의 불화나트륨, 황화나트륨 및 셀레늄화나트륨 중 적어도 1종의 응집체가 평균 1개 이하이다.</p>
申请公布号 KR20150040294(A) 申请公布日期 2015.04.14
申请号 KR20157003443 申请日期 2013.08.08
申请人 发明人
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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