发明名称 | 多模式薄膜沉积设备以及薄膜沉积方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI480415 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
申请号 | TW102143232 | 申请日期 | 2013.11.27 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 林龚梁;陈建志;董福庆;陈志勇;林士钦;林冠宇;张家豪;吴学宪 |
分类号 | C23C16/455 | 主分类号 | C23C16/455 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
主权项 | 一种多模式薄膜沉积设备,包括:一反应腔室,具有一第一开口及一第二开口,该第一开口与该第二开口系为同一轴向,以贯穿该反应腔室;一承载座,适于承载一基板,该承载座设置于该反应腔室中;一第一进气系统,适于提供一第一薄膜沉积模式时所需的一第一制程气体,该第一进气系统系连接于该第一开口;一气体喷洒头,具有一气体混合室与多个气孔,其中该些气孔位于该气体混合室的一侧,且该些气孔系朝向该承载座,该气体混合室藉由该些气孔而与该反应腔室连通;一惰性气体供应源,系连接于该气体喷洒头的该气体混合室,适于提供不与该第一制程气体反应的一惰性气体;以及一第二进气系统,适于提供一第二薄膜沉积模式时所需的一第二制程气体,该第二进气系统系连接于该气体喷洒头的该气体混合室。 | ||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |