发明名称 用于验证非易失性存储装置的编程的方法
摘要 在预充电位线之后,将第一验证电压施加到所选择的存储单元的字线,以编程验证非易失性存储装置中的存储单元。执行用于改变该位线的电压的第一读取评估操作。使用第一感测电压来感测该第一读取评估操作的结果。再次执行用于改变该位线的电压的第二读取评估操作。然后使用该第一感测电压来感测该第二读取验证操作的结果。
申请公布号 CN101488367A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200810242192.1 申请日期 2008.11.28
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 白承焕
分类号 G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 钱大勇
主权项 1. 一种用于验证非易失性存储装置的所选择的存储单元的编程的方法,所述方法包括:预充电位线;第一感测步骤,用于将第一验证电压施加到所选择的存储单元的字线,执行用于改变所述位线的电压的第一读取评估操作,并使用第一感测电压来感测所述第一读取评估操作的结果;和第二感测步骤,用于在所述第一感测步骤之后,执行用于改变所述位线的电压的第二读取评估操作,并使用所述第一感测电压来感测所述第二读取评估操作的结果。
地址 韩国京畿道