发明名称 | 用于验证非易失性存储装置的编程的方法 | ||
摘要 | 在预充电位线之后,将第一验证电压施加到所选择的存储单元的字线,以编程验证非易失性存储装置中的存储单元。执行用于改变该位线的电压的第一读取评估操作。使用第一感测电压来感测该第一读取评估操作的结果。再次执行用于改变该位线的电压的第二读取评估操作。然后使用该第一感测电压来感测该第二读取验证操作的结果。 | ||
申请公布号 | CN101488367A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
申请号 | CN200810242192.1 | 申请日期 | 2008.11.28 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 白承焕 |
分类号 | G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 钱大勇 |
主权项 | 1. 一种用于验证非易失性存储装置的所选择的存储单元的编程的方法,所述方法包括:预充电位线;第一感测步骤,用于将第一验证电压施加到所选择的存储单元的字线,执行用于改变所述位线的电压的第一读取评估操作,并使用第一感测电压来感测所述第一读取评估操作的结果;和第二感测步骤,用于在所述第一感测步骤之后,执行用于改变所述位线的电压的第二读取评估操作,并使用所述第一感测电压来感测所述第二读取评估操作的结果。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |