发明名称 半导体装置及配线设计方法
摘要
申请公布号 TWI480994 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW100108107 申请日期 2011.03.10
申请人 东芝股份有限公司 发明人 濑田涉二;井熊秀明;大脇幸人
分类号 H01L23/488;H01L23/52 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,其特征为:具备:LSI基板,系复数焊垫电极被设置于上面,且覆盖前述复数焊垫电极的绝缘膜被设置于上面;第1再配线区域,系设置于前述LSI基板的前述绝缘膜上,设置有连接于前述复数焊垫电极之任一的复数第1接触配线,及连接于前述第1接触配线的再配线;及复数球型电极,系设置于前述第1再配线区域上;前述LSI基板,系具有:半导体基板;LSI核心,系设置于前述半导体基板上,且前述复数焊垫电极中的第1焊垫电极设置于上面的端部;及第2再配线区域,系形成连接于前述第1焊垫电极的第2接触配线、连接于前述第2接触配线的第1配线层、及连接于前述复数焊垫电极中的第2焊垫电极与前述第1配线层的第3接触配线,在前述半导体基板上,邻接于前述LSI核心而设置;前述第1焊垫电极,系透过前述复数第1接触配线中之一,连接于前述复数球型电极中位于上方的第1球型电极。
地址 日本