| 摘要 |
1. Электрическое соединение по методу перевернутого кристалла между первым и вторым электрическими компонентами (250, 260), включающее в себя ! выступ (210), имеющий первую и вторую электрически соединяющиеся поверхности (214, 215), где первая соединяющаяся поверхность (214) выступа (210) электрически соединена с первым электрическим компонентом (250); и ! площадку (220), имеющую первую и вторую электрически соединяющиеся поверхности (224, 228), где первая соединяющаяся поверхность (224) площадки (220) электрически соединена со вторым электрическим компонентом (260), а вторая электрически соединяющаяся поверхность (228) площадки (220) электрически соединена и по размерам меньше, чем вторая электрически соединяющаяся поверхность (215) выступа (210). ! 2. Соединение по п.1, в котором выступ (210) является столбиковым выступом. ! 3. Соединение по п.1, в котором выступ (210) является шариковым выступом. ! 4. Соединение по п.1, в котором выступ (210) сконфигурирован с высотой выступа в диапазоне 50-150 мкм. ! 5. Соединение по п.1, в котором первая соединяющаяся поверхность (214) выступа (210) имеет диаметр в диапазоне 50-120 мкм. ! 6. Соединение по п.1, в котором площадка (220) сконфигурирована, имеющей диаметр в диапазоне 10-70 мкм. ! 7. Соединение по п.1, в котором первый электрический компонент (250) является акустическим элементом. ! 8. Соединение по п.1, в котором второй электрический компонент (260) является специализированной интегральной схемой (ASIC). ! 9. Соединение по п.8, в котором специализированная интегральная схема (ASIC) сконфигурирована имеющей электронные схемы, размещенные под упомянутой площадкой. ! 10. Соединение по п.1, в котором соединение сконфигурировано как одно из множества � |
