半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括相变单元和分别位于相变单元相反的两个侧壁上的两个侧壁电极。相变单元包括三层结构，其中相变材料层夹在上部绝缘材料层和下部绝缘材料层之间。第一侧壁电极和第二侧壁电极与相变材料层的端面相接触。本发明通过设置侧壁电极，改变了电极与相变材料的连接方式。利用现有的制备工艺就能使电极与相变材料的接触面积减小，从而获得较小的驱动电流，满足半导体器件集成度不断提高的要求。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：相变单元，所述相变单元包括上部绝缘材料层、下部绝缘材料层以及夹在所述上部绝缘材料层和所述下部绝缘材料层之间的相变材料层；以及第一侧壁电极和第二侧壁电极，分别位于所述相变单元相反的两个侧壁上，并与所述相变材料层的端面接触；第一绝缘材料层，位于所述相变单元之下；第一导电插塞，贯穿所述第一绝缘材料层，并与所述第一侧壁电极电连接；以及第二绝缘材料层，位于所述第一绝缘材料层之上，并与所述相变单元齐平；其中，所述半导体器件还包括埋置N+层和位于所述埋置N+层之上的选通二极管，所述选通二极管的上端与所述第一导电插塞的下端电连接。