一种LED驱动控制电路

摘要

本发明涉及一种LED驱动控制电路，包括驱动芯片U1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端经反接的二极管D11接场效应管Q1的栅极，三极管Q2的集电极接场效应管Q1的栅极；三极管Q2的基极接场效应管Q1的源极，三极管Q2的发射极接地，晶闸管VT的阳极接驱动芯片U1的驱动输出端，晶闸管VT的阴极接地；晶闸管VT的门极接电阻R12的一端和电容C12的一端；场效应管Q1击穿后，三极管Q2的集电极短路到地，限流电阻R15上端产生的高电压同时通过电容C12加到晶闸管VT的门极，使其导通，场效应管Q1的栅极有高电压出现时，稳压管ZD1、稳压管ZD2击穿，当场效应管Q1的栅极电压过高时，会有大电流流过稳压管ZD1、稳压管ZD2和晶闸管VT，速断保险丝FU迅速熔断，有效地保护驱动芯片U1。

主权项

一种LED驱动控制电路，包括驱动芯片U1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端经反接的二极管D11接场效应管Q1的栅极，其特征在于：所述驱动控制电路设有电源电路（1）、稳压电路（3）、放大电路（4）、取样电路（5）、驱动控制电路（6）、保护电路（7）和PFC校正电路（8）；所述保护电路（7）包括三极管Q2、电阻R12、电容C12、晶闸管VT、稳压管ZD1、稳压管ZD2、快断保险管FU，三极管Q2的集电极接场效应管Q1的栅极；三极管Q2的基极接场效应管Q1的源极，三极管Q2的发射极接地；晶闸管VT的阳极接驱动芯片U1的驱动输出端，晶闸管VT的阴极接地；晶闸管VT的门极接电阻R12的一端和电容C12的一端；电阻R12的另一端接地，电容C12的另一端接场效应管Q1的源极；稳压管ZD1的负极接驱动芯片U1的驱动输出端，稳压管ZD1的正极接地；稳压管ZD2的负极接二极管D11的正极，稳压管ZD2的正极接地；快断保险管FU设置在稳压管ZD2的负极与三极管Q2的集电极之间；驱动芯片U1的4脚接场效应管Q1的源极；所述驱动控制电路（6）包括驱动芯片U1、电阻R7、电阻R24、电容C10、二极管D10、二极管D11、电阻R13、电阻R14、限流电阻R15、场效应管Q1，驱动芯片U1的型号为SA7527，驱动芯片U1的1脚接电阻R7的一端、电阻R24的一端、电容C10的一端，电阻R24的另一端、电容C10的另一端接驱动芯片U1的2脚、放大电路（4）的输出端，电阻R7的另一端接放大电路（4）的输入端、二极管D10的正极、光电耦合器U2的发射极，二极管D10的负极接光电耦合器U2的集电极、驱动芯片U1的8脚，驱动芯片U1的3脚接PFC校正电路（8），驱动芯片U1的4脚接保护电路（7），驱动芯片U1的5脚经电阻R6接电源电路（1），驱动芯片U1的6脚地，驱动芯片U1的7脚接保护电路（7）、电阻R13的一端、二极管D11的负极，电阻R13的另一端、二极管D11的正极接场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的源极经限流电阻R15接地，电阻R14连接在场效应管Q1的栅极与场效应管Q1的源极之间，场效应管Q1的漏极接电源电路（1），驱动芯片U1的8脚经电阻R5接电源电路（1）；PFC校正电路（8）包括电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C13、电容C14、三极管Q5和三极管Q6，电阻R16的一端、电阻R17的一端接电源电路（1），电阻R16的另一端经电阻R18接电阻R20的一端、三极管Q5的集电极，电阻R20的另一端接地，三极管Q5的基极悬空，三极管Q5的发射极经电阻R23接三极管Q6的基极、电容C13的一端，电容C13的另一端接地，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6集电极经电阻R22接电阻R19的一端、电阻R21的一端、电容C14的一端和驱动芯片U1的3脚，电阻R21的另一端接地，电阻R19的另一端接电阻R17的另一端，电容C14的另一端接地。