发明名称 | 基于三输入保护门的抗辐射锁存器 | ||
摘要 | 本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种能够抵抗多节点翻转的结构简单的锁存器,本实用新型采用的技术方案是,基于三输入保护门的抗辐射锁存器,由6个传输门TG1~6,3个反相器INV1~3,3个二输入保护门DIG1~3和一个三输入保护门构成,有三路相同的输入信号分别对应输入到输入端D1、D2、D3,二输入保护门DIG2的输出B经由反相器INV2和传输门TG5连至输入端D2;输入端D1、输入端D3作为二输入保护门DIG3的输入,二输入保护门DIG3的输出C经反相器INV3和TG6连至输入端D3;输出A、B、C作为三输入保护门TIG的输入信号,输出为Q。本实用新型主要应用于抗辐射集成电路设计。 | ||
申请公布号 | CN204258775U | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
申请号 | CN201420549291.5 | 申请日期 | 2014.09.23 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 徐江涛;闫茜;姚素英;聂凯明;史再峰;高志远 |
分类号 | H03K19/094(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/094(2006.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 刘国威 |
主权项 | 一种基于三输入保护门的抗辐射锁存器,其特征是,由6个传输门TG1~6,3个反相器INV1~3,3个二输入保护门DIG1~3和一个三输入保护门构成,有三路相同的输入信号分别对应输入到输入端D1、D2、D3,输入端D1、D2、D3分别依次对应通过传输门TG1、传输门T G2、传输门TG3送入对应的二输入保护门DIG1~3,输入信号经输入端D1、输入端D2作为二输入保护门DIG1的输入,二输入保护门DIG1的输出A经过反相器INV1和传输门TG4连至输入端D1;输入端D2、输入端D3作为二输入保护门DIG2的输入,二输入保护门DIG2的输出B经由反相器INV2和传输门TG5连至输入端D2;输入端D1、输入端D3作为二输入保护门DIG3的输入,二输入保护门DIG3的输出C经反相器INV3和TG6连至输入端D3;输出A、B、C作为三输入保护门TIG的输入信号,三输入保护门TIG输出为Q。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |