一种PGaN基LED外延片

摘要

一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层，nGaN层，缓冲层，InGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN 和PGaN，其特征在于：在所述PGaN层上还生长有一层P-GaN，所述PGaN层为在800～1200℃生长的PGaN层，所述P-GaN层为在850～1250℃生长的P-GaN层，其厚度在0～300Å之间；本实用新型的一种PGaN基LED外延片，其通过PGaN层叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流方向，提高了发光效率，并可以获取高质量的InGaN/GaN 多量子阱的LED 外延片，对现有生长工艺无冲突，且结构紧凑。

主权项

一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层、nGaN层、缓冲层、nGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN层和PGaN层，其特征在于：在所述PGaN层（7）上还生长有P‑GaN层（8），所述PGaN层（7）为在800～1200℃生长的PGaN层（7），其厚度在0～300Å之间，所述P‑GaN层（8）为在850～1250℃生长的P‑GaN层（8），其厚度在0～300Å之间。