| 摘要 |
용액법에 있어서, 종래보다 성장 속도를 대폭 향상시킬 수 있는 SiC 단결정의 제조 방법을 제공한다. 도가니 내에 넣어지고, 내부로부터 액면을 향하여 온도 저하되는 온도 구배를 갖는 Si-C 용액에, 종 결정 기판을 접촉시켜 SiC 단결정을 결정 성장시키는, SiC 단결정의 제조 방법으로서, 상기 도가니의 깊이/내경이 1.71 미만이고, Si-C 용액의 액면으로부터 10 ㎜ 아래까지의 범위의 온도 구배가 42 ℃/㎝ 보다 큰, SiC 단결정의 제조 방법. |
