APPARATUS AND METHOD FOR SELECTIVE OXIDATION AT LOWER TEMPERATURE USING REMOTE PLASMA SOURCE

摘要

실리콘을 선택적으로 산화하기 위한 디바이스 및 방법이 설명된다. 노출된 실리콘 표면들의 선택적 산화를 위한 장치는, 복수의 벽, 제1 유입구 접속부 및 제2 유입구 접속부를 구비한 열 처리 챔버 - 벽들은 처리 챔버 내의 처리 영역을 정의함 -; 처리 챔버 내의 기판 지지체; 제1 유입구 접속부와 접속되는 수소 소스; 수소 소스와 접속되는 열원; 및 제2 유입구 접속부 및 산소 소스와 접속되는 원격 플라즈마 소스를 포함한다. 비금속 표면들의 선택적 산화를 위한 방법은 800℃ 미만의 온도의 처리 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계; 수소를 처리 챔버로 유동시키는 단계; 산소를 포함하는 원격 플라즈마를 생성하는 단계; 처리 챔버 내에서 원격 플라즈마를 수소 가스와 혼합하여, 활성화된 처리 가스를 생성하는 단계; 및 기판을 활성화된 가스에 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.