| 摘要 |
L'invention concerne un pixel (14) d'un imageur CMOS, le pixel (14) comprenant : - une photodiode infrarouge (20) adaptée pour générer un courant électrique lorsqu'elle est exposée à un rayonnement optique ayant une longueur d'onde supérieure à 950 nanomètres (nm), - un circuit de conversion (28) propre à recevoir des électrons et à délivrer une tension de valeur variable en fonction du nombre d'électrons reçus, caractérisé en ce que le pixel (14) comprend, en outre : - un premier interrupteur (26) connecté entre la photodiode infrarouge (20) et le circuit de conversion (28). |
