| 摘要 |
<p>RPCVD에 의해 기판상에 얇은 필름을 형성하는 장치 및 방법에 따르면 탄소 및 산소 불순물 수준이 아주 낮다. 이 방법은 성장 챔버의 제1 증착 구역에 VA족 플라스마 주입구를 통해 VA족 플라스마를 도입하고, 제1 증착 구역과 실질적으로 분리된 성장 챔버의 제2 증착 구역에 IIIA족 반응물 주입구를 통해서 IIIA족 반응물을 도입하고, 증착 전에 상기 IIIA족 반응물과 혼합되도록 추가 반응물 주입구를 통해서, 암모니아, 히드라진, 디-메틸 히드라진 및 수소 플라스마로 구성된 군에서 선택되는 추가 반응물을 상기 제2 증착 구역에 도입함을 포함한다.</p> |
