HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT LATERALEN FET-ZELLEN UND FELDPLATTEN

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Vorsehen von dielektrischen Streifenstrukturen (200), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in ein Halbleitersubstrat (500a) zwischen Halbleiterrippen (180) erstrecken. Eine erste Maske (510) ist vorgesehen, die ein erstes Gebiet (610) einschließlich erster Streifenabschnitte der dielektrischen Streifenstrukturen (200) und erster Rippenabschnitte der Halbleiterrippen (180) bedeckt. Die erste Maske (510) legt ein zweites Gebiet (620) einschließlich zweiter Streifen- und zweiter Rippenabschnitte frei. Eine Kanal/Bodyzone (115) wird in den zweiten Rippenabschnitten durch Einführen von Fremdstoffen gebildet, wobei die erste Maske (510) als eine Implantationsmaske verwendet wird. Mittels einer Ätzmaske, die auf der ersten Maske (510) beruht, werden Aussparungsgräben (150a) wenigstens in den zweiten Streifenabschnitten gebildet.