发明名称 |
Procédé d'obtention de couches supraconductrices formées de composés binaires et intermétalliques vanadium-gallium et niobium-gallium |
摘要 |
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申请公布号 |
FR1492406(A) |
申请公布日期 |
1967.08.18 |
申请号 |
FR19660073504 |
申请日期 |
1966.08.19 |
申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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分类号 |
C23C10/28;H01L39/00;H01L39/24 |
主分类号 |
C23C10/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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