半导体装置

摘要

本实施形态之半导体装置具备：半导体基板；第1接触插塞，其上端部之直径尺寸大于下端部之直径尺寸；第1绝缘膜，其覆盖第1接触插塞；第2接触插塞，其下端部接合于第1接触插塞之上端部，且上端部之直径尺寸小于下端部之直径尺寸；第2绝缘膜，其覆盖第2接触插塞；配线层，其于下端部接合有第2接触插塞之上端部；第3绝缘膜，其覆盖配线层；及阶差，其形成于第1接触插塞之上端部中之未由第2接触插塞之下端部覆盖之部分。