| 发明名称 | 一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板及其制造方法，由基板和基板凹槽组成，所述基板凹槽在基板的外沿面的内侧。所述基板凹槽深度大于20um，宽度大于20um。所述制造方法：在基板的外沿面的内侧制作基板凹槽。本发明能显著改善MUF工艺基板外围溢料的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104485312A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410843756.2 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 华天科技（西安）有限公司 | 发明人 | 陈文钊;于大全;谌世广;刘卫东 |
| 分类号 | H01L23/13(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种改善MUF工艺基板外围溢料的基板，其特征在于，由基板(1)和基板凹槽(2)组成，所述基板凹槽(2)在基板(1)的外沿面的内侧。 | ||
| 地址 | 710018 陕西省西安市西安经济技术开发区凤城五路105号 | ||