包含分离式闸极非挥发性记忆单元之半导体结构及其形成方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING A SPLIT GATE NONVOLATILE MEMORY CELL AND A HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括分离闸极非挥发性记忆单元和高电压电晶体。非挥发性记忆单元包括主动区、设于主动区上面的非挥发性记忆体堆叠、设于记忆体堆叠上面的控制闸极电极、至少部分设于主动区上面毗连于记忆体堆叠的选择闸极电极、以及选择闸极绝缘层。高电压电晶体包括主动区、闸极电极、以及设于主动区与闸极电极之间的闸极绝缘层。非挥发性记忆体装置的选择闸极绝缘层以及高电压电晶体的闸极绝缘层至少部分由相同的高k电介材料构成。非挥发性记忆体装置的选择闸极电极以及高电压电晶体的闸极电极至少部分由相同的金属构成。