| 发明名称 |
制造非挥发性记忆体的方法;METHOD OF FABRICATING A NON-VOLATILE MEMORY |
| 摘要 |
记忆细胞的结构包含基底、井、二源极/汲极参杂区、叠层以及金属闸极。该叠层包含隧穿层以及电荷捕捉层。制造记忆细胞的方法会随着执行步骤顺序的改变而有所变化。而制造顺序的差异，会导致记忆细胞的元件在形成时具有不同的特性变化。 |
| 申请公布号 |
TW201513270 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW103126947 |
申请日期 |
2014.08.06 |
| 申请人 |
力旺电子股份有限公司 EMEMORY TECHNOLOGY INC. |
发明人 |
孙文堂 SUN, WEIN TOWN;沈政彦 SHEN, CHENG YEN |
| 分类号 |
H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任戴俊彦 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学园区园区二路47号305室 TW |
