| 发明名称 |
ＩＩＩ族氮化物半导体成长用基板、ＩＩＩ族氮化物半导体磊晶基板、ＩＩＩ族氮化物半导体元件及ＩＩＩ族氮化物半导体自撑基板、及该等之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI479541 |
申请公布日期 |
2015.04.01 |
| 申请号 |
TW099109069 |
申请日期 |
2010.03.26 |
| 申请人 |
同和控股股份有限公司;同和电子科技股份有限公司 |
发明人 |
鸟羽隆一;宫下雅仁;豊田达宪;门脇嘉孝 |
| 分类号 |
H01L21/205;C30B29/38 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种III族氮化物半导体成长用基板，具备：结晶成长基板，其至少具有由含有Al之III族氮化物半导体所构成之表面部分；形成于该表面部分上之钪氮化物膜；以及位于该钪氮化物膜上之初始成长层，该初始成长层系由以AlxGa1-xN(0≦x≦1)组成之至少一层之缓冲层所构成。 |
| 地址 |
日本 |
