非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括基底、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区以及一对隔离结构。栅极结构配置于基底上。栅极结构包括电荷储存结构、栅极以及间隙壁。电荷储存结构配置于基底上。栅极配置于电荷储存结构上。间隙壁配置于栅极与电荷储存结构的侧壁上。第一掺杂区与第二掺杂区分别配置于电荷储存结构二侧的基底中，且至少位于间隙壁的下方。此对隔离结构分别配置于栅极结构二侧的基底中。本发明还提供了一种非挥发性记忆体的制造方法。藉此本发明可以避免非挥发性记忆体在操作时产生第二位元效应与程序化干扰。

主权项

一种非挥发性记忆体，其特征在于其包括：一基底；一栅极结构，配置于该基底上，该栅极结构包括：一电荷储存结构，配置于该基底上；一栅极，配置于该电荷储存结构上；及一间隙壁，配置于该栅极与该电荷储存结构的侧壁上；一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别配置于该电荷储存结构二侧的该基底中，且至少位于该间隙壁的下方；以及第一和第二隔离结构，分别配置于该栅极结构二侧的该基底中；其中，该掺杂区是以该栅极与该间隙壁为罩幕进行掺杂工艺，在掺质被植入该基底中之后，该间隙壁作为掺质扩散的缓冲区，掺质扩散至该间隙壁的下方形成；该第一和第二隔离结构是再以该栅极与该间隙壁为罩幕在该基底中形成沟渠，在该沟渠中填满绝缘材料形成；使该第一掺杂区只直接位于该第一隔离结构的侧壁，不位于该第一隔离结构下，该第二掺杂区只直接位于该第二隔离结构的侧壁，不位于该第一隔离结构下。