电子器件封装树脂的制造方法

摘要

本发明公开了一种电子器件封装树脂的制造方法，包括如下步骤：（1）制备改性SiO2溶胶，以含不饱和双键的有机硅单体作为表面改性剂，对SiO2溶胶进行表面改性来制备改性SiO2溶胶；（2）制备紫外光固化树脂；（3）以质量百分比计，将25～65％的所述改性SiO2溶胶、15～55％的所述紫外光固化树脂与10～30％的溶剂混合，并依次加入3％光引发剂、0.2％的助剂以及6～13％的防静电剂，充分搅拌混合后即可得到所述电子器件封装树脂。

主权项

一种电子器件封装树脂的制造方法，包括如下步骤：(1)制备改性SiO2溶胶，以含不饱和双键的有机硅单体作为表面改性剂，对SiO2溶胶进行表面改性来制备改性SiO2溶胶；(2)制备紫外光固化树脂；(3)以质量百分比计，将25～65％的所述改性SiO2溶胶、15～55％的所述紫外光固化树脂与10～30％的溶剂混合，并依次加入3％光引发剂、0.2％的助剂以及6～13％的防静电剂，充分搅拌混合后即可得到所述电子器件封装树脂；其中所述紫外光固化树脂按质量百分比计具有如下化学成分：5～30％的丙三醇、15～40％的环氧化十六碳共轭三烯酸甘油酯、10～40％的三甲醇基丙烷、0.5～1％的对苯二酚、8～15％的乙基甲基丙烯酸酯、10～25％的甲苯二异氰酸酯、20～40％的四氢呋喃、3～8％的二甲氧基苯基甲酮、10～35％的甲基丙烯酸甲酯、以及小于等于1％的氧化铅；含不饱和双键的有机硅单体是：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷或γ‑甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷中的一种；；所述溶剂包括水、醇醚如丙二醇甲醚或乙二醇丁醚；所述光引发剂为二苯甲酮、2‑羟基‑2‑甲基‑1‑苯基‑1‑丙酮、1‑羟基‑环己基苯酮；所述助剂为消泡剂，所述消泡剂为有机硅消泡剂、乙烯基聚合物和丙烯酸共聚消泡剂、聚醚消泡剂任意之一；所述防静电剂为可聚合季铵盐表面活性剂，该可聚合季铵盐表面活性剂选自甲基丙烯酰氧乙基‑苄基‑二甲基氯化铵(MBDAC)，甲基丙烯酰氧乙基‑丁基‑二甲基溴化铵(MBDAB)和甲基丙烯酰氧乙基‑乙基‑二甲基溴化铵(MEDAB)任意之一。