| 发明名称 | 快闪记忆体之制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI479609 | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | TW099115911 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 蒋汝平;韦承宏;廖修汉;廖振刚 |
| 分类号 | H01L21/8247 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 | |
| 主权项 | 一种快闪记忆体之制作方法，包括：提供一基底，包括一阵列区和一周边区；形成复数个闸极于该阵列区和该周边区之基底上；形成一第一间隙壁于该阵列区和该周边区之闸极侧壁；形成一第一覆盖层于该阵列区和该周边区之基底和该些闸极上方；图形化该第一覆盖层，形成对准该阵列区之该些闸极间区域之图形化第一覆盖层，以定义该阵列区之源极和汲极之区域；形成一第二间隙壁于该周边区之闸极侧壁；形成一第二覆盖层于该些闸极和该图形化第一覆盖层上方；图形化该第二覆盖层，于该阵列区之该图形化第一覆盖层上形成一阵列区之源/汲极接触开口；及移除该阵列区之源/汲极接触开口下之第一覆盖层。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||