发明名称 不揮発半導体記憶システム
摘要 不揮発半導体記憶システムが、複数の不揮発半導体記憶媒体と、複数の不揮発半導体記憶媒体に接続された媒体インタフェース群(1以上のインタフェースデバイス)を有する制御回路と、複数のスイッチとを有する。媒体インタフェース群と複数のスイッチとがデータバスを介して接続され、各スイッチと、各2以上の不揮発チップとが、データバスを介して接続される。スイッチは、媒体インタフェース群に接続されているデータバスとそのスイッチに接続されている複数の不揮発チップのいずれかに接続されているデータバスとの接続を切り替えるよう構成されている。制御回路は、ライト対象のデータを複数のデータ要素に分割し、複数のスイッチを制御することにより接続を切り替えて、複数のデータ要素を複数の不揮発チップに分散して送信する。
申请公布号 JPWO2013046463(A1) 申请公布日期 2015.03.26
申请号 JP20130535800 申请日期 2011.09.30
申请人 株式会社日立製作所 发明人 石川 篤;薗田 浩二;上原 剛;小川 純司;小関 英通
分类号 G06F13/16;G06F3/06;G06F12/00;G06F12/06;G06F12/16;G06F13/14 主分类号 G06F13/16
代理机构 代理人
主权项
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