发明名称 半导体存储装置及其测试方法
摘要 本发明涉及半导体存储装置及其测试方法。提供了一种半导体存储装置,其包括:第一存储单元;第一字线;第一公共位线;第二存储单元;第二字线;第二位线;第二公共位线;第一选择电路,将第一公共位线连接到从第一位线中选择出的第一位线;第二选择电路,将第二公共位线连接到从第二位线中选择出的第二位线;字线驱动器,激活第一和第二字线中的任一个;参考电流供应单元,将参考电流供应到第一和第二公共位线之中的未电气连接到数据读取目标存储单元的公共位线;以及感测放大器,放大第一和第二公共位线之间的电位差。
申请公布号 CN104464812A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410482392.X 申请日期 2014.09.19
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 薮内诚
分类号 G11C16/24(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I 主分类号 G11C16/24(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 欧阳帆
主权项 一种半导体存储装置,包括:以矩阵方式设置的多个第一存储单元;分别设置在所述多个第一存储单元的多个行中的多个第一字线;分别设置在所述多个第一存储单元的多个列中的多个第一位线;第一公共位线;以矩阵方式设置的多个第二存储单元;分别设置在所述多个第二存储单元的多个行中的多个第二字线;分别设置在所述多个第二存储单元的多个列中的多个第二位线;第二公共位线;第一选择电路,将第一公共位线连接到基于控制信号从所述多个第一位线中选择出的第一位线;第二选择电路,将第二公共位线连接到基于所述控制信号从所述多个第二位线中选择出的第二位线;字线驱动器,激活多个第一和第二字线中的任一个;参考电流供应单元,将参考电流供应到第一和第二公共位线之中的未电气连接到数据读取目标存储单元的公共位线;以及感测放大器,放大第一和第二公共位线之间的电位差。
地址 日本神奈川