| 发明名称 | 电子设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器可以包括：第一层叠结构，其包括设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在第一字线之上并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在第一字线和第一位线之间的可变电阻层；以及第二层叠结构，其包括设置在第一层叠结构之上并沿着第二方向延伸的第二位线、设置在第二位线之上并沿着第一方向延伸的第二字线、以及插入在第二字线和第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在第一位线和第二位线之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104465694A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410184414.4 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金孝俊;具滋春;闵盛奎;白承范;赵炳直;周元基;金显圭;李锺哲 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种电子设备，其包括半导体存储器，其中，所述半导体存储器包括：第一层叠结构，包括：设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在所述第一字线之上并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在所述第一字线和所述第一位线之间的第一可变电阻层；以及第二层叠结构，包括：设置在所述第一层叠结构之上并沿着所述第二方向延伸的第二位线、设置在所述第二位线之上并沿着所述第一方向延伸的第二字线、以及插入在所述第二字线和所述第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在所述第一位线和所述第二位线之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||