| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造半导体器件的方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层；在第二材料层上形成辅助层；在辅助层中形成与将要形成的栅结构相对应的开口；形成第三材料层，以覆盖辅助层；在第三材料层上形成与栅结构中至少之一相对应的掩模层；在存在掩模层的情况下，对第三材料层进行构图，去除其横向延伸部分；去除辅助层；以构图后的第三材料层为掩模，对第二材料层进行构图，以形成可定义不同栅长的栅结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104465374A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310418179.8 | 申请日期 | 2013.09.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层；在第二材料层上形成辅助层；在辅助层中形成与将要形成的栅结构相对应的开口；形成第三材料层，以覆盖辅助层；在第三材料层上形成与栅结构中至少之一相对应的掩模层；在存在掩模层的情况下，对第三材料层进行构图，去除其横向延伸部分；去除辅助层；以构图后的第三材料层为掩模，对第二材料层进行构图，以形成可定义不同栅长的栅结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||