基于高压工艺的静电保护环

摘要

一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。采用本发明所述基于高压工艺的静电保护环，在拐角处减少了孔的数量，使电场线在拐角处被削弱，增强了拐角处的耐压，提高了整个芯片的抗静电等级。

主权项

一种基于高压工艺的静电保护环，包括第一物理层、第二物理层、连接第一物理层和第二物理层之间的多个孔，其特征在于，在静电保护环拐角处的尖角区域不具备孔。