一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法

摘要

本发明公开了一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法：提供一浅层离子注入层的光刻版图图形；从光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界；图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，且图形边界到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；若第一尺寸的值小于第二尺寸的值，将图形边界朝第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将图形边界朝第一前层图形的方向移动距离A2，A1的值小于第二尺寸的值，A2的值小于第一尺寸的值；利用浅离子注入层版图中多余距离空间，达到增加光刻工艺窗口的效果，浅沟槽隔离区上的离子注入是无效的，所以对器件无影响，能有效降低图形失真导致缺陷的风险，提高成品合格率。

主权项

一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一光刻版图，所述光刻版图包括一浅层离子注入层的光刻版图图形；从所述光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界，且所述图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；其中，若所述第一尺寸的值小于所述第二尺寸的值，将所述图形边界朝所述第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将所述图形边界朝所述第一前层图形的方向移动距离A2，且所述A1的值小于所述第二尺寸的值，所述A2的值小于所述第一尺寸的值。