| 发明名称 | 高压硅堆装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。本发明设置了保护电阻，以适应直流发生器在试品闪络放电时产生频率较高的过电压的电压施加在保护电阻上，减小了二极管的反向电压，减小二极管击穿的概率，此均压和保护措施的设计，经使用达到了满意的均压效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104459481A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201310439575.9 | 申请日期 | 2013.09.25 |
| 申请人 | 扬州市鑫源电气有限公司 | 发明人 | 张炳生;冀东旭 |
| 分类号 | G01R31/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 奚衡宝 |
| 主权项 | 高压硅堆装置，包括若干硅盘（1），硅盘（1）上设置有硅粒子串（2）和均压环（4），所述的硅粒子串（2）由若干硅二极管（21）串联而成，组成硅粒子串（2）的每个硅二极管（21）分别与一只均压电阻（22）和一只均压电容（23）并联，其特征在于，硅盘（1）的高压输出端设保护电阻（5）。 | ||
| 地址 | 225200 江苏省扬州市江都区武坚工业园 | ||