发明名称 半导体装置及半导体模块
摘要 一种半导体装置,上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。
申请公布号 CN104465578A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410053381.X 申请日期 2014.02.17
申请人 株式会社东芝 发明人 久里裕二;关谷洋纪;佐佐木遥;小谷和也;田多伸光;松村仁嗣;井口知洋
分类号 H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐殿军
主权项 一种半导体装置,具备:半导体元件,具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面;和含铬(Cr)的金属膜,设置在上述半导体元件的上述第2面。
地址 日本东京都