| 发明名称 | 乾式金属蚀刻方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI478235 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
| 申请号 | TW101120902 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 大泽佑介;大竹浩人;铃木锐二;库马 寇西克;梅兹 安祖Ｗ |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 | |
| 主权项 | 一种基板上含金属层的蚀刻方法，包含：将具有含铝层形成于其上的一基板，配置于一电浆处理系统之中；由含卤素元素之制程成分形成电浆；将该基板暴露于该电浆，以蚀刻该含铝层；将该基板暴露于含氧环境，以氧化该含铝层的表面，且控制该含铝层的蚀刻率；藉由耦合射频(RF)功率至支撑该基板的一基板固持器，施加电偏压于该基板；及藉由调整该电偏压的RF功率位准，达到在该基板上所形成之该含铝层和含Si及O层之间的目标蚀刻选择性。 | ||
| 地址 | 日本 | ||