发明名称 基板处理装置及半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号 TWI478224 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW100142166 申请日期 2011.11.18
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 小川云龙;奥野正久;赤尾徳信;八岛伸二;梅川纯史;南嘉一郎
分类号 H01L21/30;H01L21/324 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种基板处理装置,其具备:处理室,系处理基板;基板支持部,系具有设在前述处理室内且支持前述基板的基板支持机构、和基板支持台和冷却部;微波供给部,系具有将由微波源所供给的微波辐射至前述基板的微波辐射部,前述微波辐射部被构成为可旋转的,对被前述基板支持机构支持的基板的处理面供给微波;及控制部,系控制各构成,使得当加热前述基板时,一边将前述基板支持机构的上端与前述基板支持台的表面的距离维持在既定距离,一边藉由前述微波加热前述基板,当冷却前述基板时,将被前述基板支持机构所支持的基板与前述基板支持台的表面的距离缩短为小于前述既定距离,并藉由前述冷却部将前述基板冷却。
地址 日本