| 发明名称 | 记忆体阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI478324 | 申请公布日期 | 2015.03.21 |
| 申请号 | TW098110896 | 申请日期 | 2009.04.01 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄竣祥;蔡文哲;欧天凡 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种记忆体阵列，包括：复数个字元线；一电荷捕捉结构，覆盖该些字元线的表面；复数个沟渠通道，该些字元线与该些沟渠通道交替排列，且该些沟渠通道藉由该电荷捕捉结构而与相邻的该字元线分离；以及复数个位元线，跨越该些字元线，其中该些沟渠通道与该些位元线电性耦接。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||