| 发明名称 | 发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上自下而上分别形成有P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层和N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层，其中0<x<1，0<y<1；所述N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层上形成有ITO薄膜层；所述ITO薄膜层上形成有P电极；所述凹陷区域的N型半导体层上形成有N电极。本发明利用P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层/N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层作为ITO薄膜层与P型半导体层之间的接触层，可以改善结性能，并降低接触电阻，通过调整P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层和N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层的厚度和掺杂浓度，可有效降低发光二极管的工作电压，降低器件功耗，并提高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104425669A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310374417.X | 申请日期 | 2013.08.23 |
| 申请人 | 上海蓝光科技有限公司 | 发明人 | 陈耀;邢志刚;李振毅;王雪娟;郝茂盛 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管至少包括基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；所述基板上形成有一底部到达所述N型半导体层中的凹陷区域；所述P型半导体层上自下而上分别形成有P型In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层和N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N层，其中0<x<1，0<y<1；所述N型In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N层上形成有ITO薄膜层；所述ITO薄膜层上形成有P电极；所述凹陷区域的N型半导体层上形成有N电极。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 | ||