| 发明名称 | 去除残余电荷的方法、使用其的X射线成像方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供去除残余电荷的方法、使用其的X射线成像方法和装置。该去除来自光导体材料的残余电荷的方法包括：在将X射线照射到该光导体材料上的采集操作期间向该光导体材料施加第一电压以形成静电场；以及在去除操作期间向该光导体材料施加第二电压以减少其中残余电荷的量，第二电压与第一电压不同。在一个或多个示例实施例中，该光导体材料可以包括碘化汞(HgI<sub>2</sub>)。 | ||
| 申请公布号 | CN104414667A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201410448597.6 | 申请日期 | 2014.09.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金暎;金善日;朴宰彻;李彊昈 |
| 分类号 | A61B6/00(2006.01)I;G01N23/04(2006.01)I | 主分类号 | A61B6/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 一种去除来自光导体材料的残余电荷的方法，该方法包括：在将X射线照射到该光导体材料上的采集操作期间向该光导体材料施加第一电压以形成静电场；以及在去除操作期间向该光导体材料施加第二电压以减少其中残余电荷的量，第二电压与第一电压不同。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||