发明名称 |
具有双电子阻挡层的有机光电二极管 |
摘要 |
本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层,使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道(HOMO)的值与双电子阻挡层中的一个相适配,从而形成具有良好性能的光电二极管。双电子阻挡层的最低已占分子轨道(LOMO)的值被选择为小于邻近的阳极层的值,从而降低暗电流。本发明还公开了具有双电子阻挡层的有机光电二极管。 |
申请公布号 |
CN104425717A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310589912.2 |
申请日期 |
2013.11.20 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
梁晋瑋;林杏莲;蔡正原;蔡嘉雄 |
分类号 |
H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种有机光电二极管,包括:第一电极层;第一电子阻挡层,位于所述第一电极层上方;第二电子阻挡层,位于所述第一电子阻挡层上方;有机P型层,位于所述第二电子阻挡层上方;有机有源层,位于所述有机P型层上方;有机N型层,位于所述有机有源层上方;以及第二电极层,位于所述有机N型层上方。 |
地址 |
中国台湾新竹 |