半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置包括在衬底上方沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列的存储器基元晶体管的块、在所述块的第一端沿所述第一方向排列的多个第一选择晶体管、在所述块的第二端沿所述第一方向排列的多个第二选择晶体管、覆盖所述第一选择晶体管的源极的第一氮化硅层、覆盖所述第二选择晶体管的漏极的第二氮化硅层、连接所述第一选择晶体管的源极和源极线的第一接触、以及连接一个所述第二选择晶体管的漏极和一条位线的第二接触。所述第二选择晶体管的漏电极之上的所述第二氮化硅层的厚度小于所述第一选择晶体管的源电极之上的所述第一氮化硅层的厚度。

主权项

一种半导体装置，包括：存储器基元单元，每个存储器基元单元包括在衬底上方沿第一方向排列的存储器基元晶体管、位于所述存储器基元晶体管的第一端的第一晶体管、以及位于所述存储器基元晶体管的第二端的第二晶体管，所述存储器基元单元被这样排列：相邻存储器基元单元使其第一晶体管在所述第一方向上彼此面对，或者使其第二晶体管在所述第一方向上彼此面对，并且所述相邻存储器基元单元的所述第一晶体管之间的距离大于所述相邻存储器基元单元的所述第二晶体管之间的距离；第一氮化硅层，其覆盖所述第一晶体管的第一扩散层；第二氮化硅层，其覆盖所述第二晶体管的第二扩散层；源极线，其被电连接到所述第一扩散层和所述第一晶体管中的至少一个；位线，其被电连接到所述第二扩散层和所述第二晶体管中的至少一个；第一接触，其将所述源极线电连接到所述第一扩散层；以及第二接触，其将所述位线电连接到所述第二扩散层，其中，所述第二扩散层之上的所述第二氮化硅层的厚度小于所述第一扩散层之上的所述第一氮化硅层的厚度。