半导体装置

摘要

一种半导体装置包括有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极与漏极皆位于有源层上，且源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫与第一漏极垫皆位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠，且源极垫区域与漏极区域形成的重叠面积小于或等于40%的漏极区域的面积。

主权项

一种半导体装置，包括：有源层；至少一源极，位于该有源层上，且该源极在该有源层上的正投影形成源极区域；至少一漏极，位于该有源层上，该漏极与该源极分开，且该漏极在该有源层上的正投影形成漏极区域；至少一栅极，位于该有源层上方，并介于该源极与该漏极之间；第一绝缘层，至少覆盖部分该源极与部分该漏极，该第一绝缘层具有至少一源极通孔与至少一漏极通孔于其中；第一源极垫，位于该第一绝缘层上，且该第一源极垫在该有源层上的正投影形成源极垫区域，该源极垫区域与该漏极区域至少部分重叠，且该源极垫区域与该漏极区域的重叠面积小于或等于40%的该漏极区域的面积；第一漏极垫，位于该第一绝缘层上；至少一源极插塞，位于该源极通孔中，并电连接该第一源极垫与该源极；以及至少一漏极插塞，位于该漏极通孔中，并电连接该第一漏极垫与该漏极。