半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种形状偏差较少之半导体装置之制造方法。;实施形态之半导体装置之制造方法包括对包含矽之构件进行乾式蚀刻的步骤。上述乾式蚀刻系于即便使压力增加蚀刻速率亦不会进一步增加之饱和压力乘以0.85所得之压力以上之第1压力范围、或实现将压力设为上述饱和压力时之蚀刻速率之一半之蚀刻速率的压力以下之第2压力范围内实施。