| 摘要 |
<p>Eine niedrigkonzentrierte n-Typ-Driftschicht (2) wird auf einem Siliciumcarbidsubstrat (1) abgelagert, um ein Halbleitersubstrat auszubilden, und eine erste Vorderflächen-Metallschicht (11), die einen Schottky-Kontakt mit dem Halbleitersubstrat ausbildet, wird auf einer Vorderfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet. Ein äußeres umgebendes Ende der ersten Vorderflächen-Metallschicht (11) erstreckt sich auf eine isolierende Zwischendünnschicht (6), die einen Kantenteil abdeckt. Eine zweite Vorderflächen-Metallschicht (12), die eine Vorderflächenelektrode bildet, wird auf der ersten Vorderflächen-Metallschicht (11) ausgebildet. Wenn ein Teil der zweiten Vorderflächen-Metallschicht (12) durch Trockenätzen ausgebildet wird, wird die gesamte Vorderflächen-Metallschicht (11), die Schottky-Kontaktmetall sein wird, mit der zweiten Vorderflächen-Metallschicht (12) abgedeckt. Daher ist es möglich, das Erzeugen eines Ätzrückstands in einem Gestaltungsvorgang zum Bilden der zweiten Vorderflächen-Metallschicht (12) zu verhindern und eine Vorderflächen-Elektrodenstruktur mit hoher Zuverlässigkeit und ein Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements bereitzustellen.</p> |
