发明名称 基板处理装置
摘要 本发明公开了一种基板处理装置。在该基板处理装置中,执行针对基板的处理,该基板处理装置包括:主腔室,其具有限定在所述主腔室的侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口;腔室盖,其封闭所述主腔室的所述上开口,以提供与外界分隔的处理空间来执行所述处理;喷洒头,其设置在所述处理空间内,所述喷洒头具有喷出处理气体的多个喷孔;下加热块,在所述下加热块的上部放置所述基板,所述下加热块固定至所述下开口并且具有与所述处理空间分隔的下安装空间;以及多个下加热器,所述多个下加热器在与所述基板平行的方向上设置在所述下安装空间内,以加热所述下加热块。
申请公布号 CN104412363A 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201380032133.0 申请日期 2013.06.14
申请人 株式会社EUGENE科技 发明人 梁日光;宋炳奎;金劲勋;金龙基;申良湜
分类号 H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;刘久亮
主权项 一种基板处理装置,在所述基板处理装置中执行针对基板的处理,所述基板处理装置包括:主腔室,所述主腔室具有限定在所述主腔室的一个侧壁内以加载或卸载所述基板的通道以及分别限定在所述主腔室的上部和下部的上开口和下开口;腔室盖,所述腔室盖封闭所述主腔室的所述上开口,以提供与外界分隔的处理空间来执行所述处理;喷洒头,所述喷洒头设置在所述处理空间内,所述喷洒头具有喷出处理气体的多个喷孔;下加热块,在所述下加热块的上部放置所述基板,所述下加热块固定至所述下开口并且具有与所述处理空间分隔的下安装空间;以及多个下加热器,所述多个下加热器在与所述基板平行的方向上设置在所述下安装空间内,以加热所述下加热块。
地址 韩国京畿道