相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法

摘要

本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl₃和Ar的气体刻蚀腔中；4）在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl₃和Ar激发成等离子体体，BCl₃主要起化学腐蚀作用，Ar⁺离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。本发明选取了BCl₃作为主要的化学反应气体，选取Ar气进行物理轰击，形成了表面光滑，侧壁垂直，侧壁损伤低的GeTe薄膜图形。本发明刻蚀速度很高，且能够很好的控制，具有较广泛的适用范围。

主权项

一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：1)提供一衬底，于所述衬底上制备GeTe材料薄膜层；2)于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3)将具有刻蚀阻挡层的GeTe材料薄膜层送入具有BCl₃和Ar的气体刻蚀腔中；4)在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl₃和Ar激发成等离子体，BCl₃主要起化学腐蚀作用，Ar⁺离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。