| 发明名称 | 降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p-GaN层上生长重掺杂的p-GaN薄层；步骤2：对p-GaN层和p-GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p-GaN薄层上生长重掺杂的p-InGaN薄层；步骤4：对p-InGaN薄层进行Mg激活退火，形成样品；步骤5：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；步骤6：在样品的表面通过电子束蒸发来蒸发Ni/Au金属层；步骤7：将多余的Ni/Au金属层剥离；步骤8：退火形成Ni/Au合金，形成欧姆接触，完成制备。本发明可以进一步提高p-GaN欧姆接触的性能，以更好的将宽禁带半导体材料应用于高频、大功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104409344A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410652670.1 | 申请日期 | 2014.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李晓静;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种降低Ni/Au与p‑GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p‑GaN层上生长重掺杂的p‑GaN薄层；步骤2：对p‑GaN层和p‑GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p‑GaN薄层上生长重掺杂的p‑InGaN薄层；步骤4：对p‑InGaN薄层进行Mg激活退火，形成样品；步骤5：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；步骤6：在样品的表面通过电子束蒸发来蒸发Ni/Au金属层；步骤7：将多余的Ni/Au金属层剥离；步骤8：退火形成Ni/Au合金，形成欧姆接触，完成制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||