| 发明名称 | 硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及了一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，采用磁控溅射和热氧化技术制备，将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnS：Ag薄膜；将获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，可实现掺杂浓度的控制，适用产业化生产环境。 | ||
| 申请公布号 | CN104409337A | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201410614869.5 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 发明人 | 何丹农;卢静;李争;尹桂林;葛美英 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人 | 唐莉莎 |
| 主权项 | 一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射和热氧化技术制备，包括以下步骤：（1）将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnS：Ag薄膜；（2）将步骤（1）中获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理。 | ||
| 地址 | 200241 上海市闵行区江川东路28号 | ||