| 发明名称 | 鳍式场效应管的结构及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：依次在基底表面形成硅薄膜、硬掩膜层、具有第一开口的图案层和覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述基底表面；在所述第二开口内形成牺牲层，所述牺牲层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；去除所述图案层，形成与所述侧墙相对应的两个第一子鳍部；去除所述硬掩膜层，形成与所述第一子鳍部齐平的绝缘层；形成位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部；去除所述绝缘层和牺牲层，形成位于所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间的空腔。本发明实施例的鳍式场效应管的器件性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103000688B | 申请公布日期 | 2015.03.11 |
| 申请号 | CN201110276568.2 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成位于所述基底表面的硅薄膜；形成位于所述硅薄膜的表面的硬掩膜层；形成位于所述硬掩膜层表面的具有第一开口的图案层；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和硅薄膜，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述基底表面；在所述第二开口内形成牺牲层，所述牺牲层的表面至少与所述硅薄膜的表面齐平；去除所述图案层，形成与所述侧墙相对应的两个第一子鳍部；去除所述硬掩膜层，形成与所述第一子鳍部齐平的绝缘层；形成位于所述第一子鳍部顶部、且连接两个所述第一子鳍部的第二子鳍部；去除所述绝缘层和牺牲层，形成位于所述基底、第二子鳍部和两个第一子鳍部之间的空腔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||