发明名称 陶瓷烧结体及使用其的电路基板、电子装置以及热电转换组件
摘要 本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分,晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分,并且包含组成式以REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N(RE为稀土类金属)表示的成分,从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外,若将该烧结体用于电路基板,则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板,使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。
申请公布号 CN102781878B 申请公布日期 2015.03.11
申请号 CN201180012715.3 申请日期 2011.03.09
申请人 京瓷株式会社 发明人 石峰裕作;森山正幸;小松原健司;中尾裕也
分类号 C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B35/584(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 蒋亭
主权项 一种陶瓷烧结体,其特征在于,主晶相以氮化硅作为主成分,晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分,并且包含组成式以REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N表示的结晶,其中,RE为稀土类金属,所述氧化镁的含量为1.3质量%以上且5质量%以下,所述稀土类氧化物的含量为10质量%以上且17质量%以下,通过X射线衍射法求出的、所述结晶的衍射角30~31°的峰强度I<sub>1</sub>的半值宽度为0.4°以下,设通过X射线衍射法求出的、所述主晶相中包含的氮化硅的衍射角27~28°的峰强度为I<sub>0</sub>时,比率I<sub>1</sub>/I<sub>0</sub>为5.5%以上。
地址 日本京都府