发明名称 |
陶瓷烧结体及使用其的电路基板、电子装置以及热电转换组件 |
摘要 |
本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分,晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分,并且包含组成式以REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N(RE为稀土类金属)表示的成分,从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外,若将该烧结体用于电路基板,则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板,使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。 |
申请公布号 |
CN102781878B |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201180012715.3 |
申请日期 |
2011.03.09 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
石峰裕作;森山正幸;小松原健司;中尾裕也 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蒋亭 |
主权项 |
一种陶瓷烧结体,其特征在于,主晶相以氮化硅作为主成分,晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分,并且包含组成式以REMgSi<sub>2</sub>O<sub>5</sub>N表示的结晶,其中,RE为稀土类金属,所述氧化镁的含量为1.3质量%以上且5质量%以下,所述稀土类氧化物的含量为10质量%以上且17质量%以下,通过X射线衍射法求出的、所述结晶的衍射角30~31°的峰强度I<sub>1</sub>的半值宽度为0.4°以下,设通过X射线衍射法求出的、所述主晶相中包含的氮化硅的衍射角27~28°的峰强度为I<sub>0</sub>时,比率I<sub>1</sub>/I<sub>0</sub>为5.5%以上。 |
地址 |
日本京都府 |