一种基于多孔硅的阵列生物芯片及其制备方法和应用

摘要

本发明提供一种基于多孔硅的阵列生物芯片的制备方法及其用途，步骤1：单晶硅片单面抛光，采用电化学方法制备出多孔硅Bragg多层结构,硅片未抛光面称为待光刻层；步骤2：在前述待光刻层上，进行高能激光刻蚀、聚焦电子或离子束刻蚀，得到表面为阵列光子晶体的器件；步骤3：对得到的硅片进行后处理：硅烷化；步骤4：步骤3得到的硅片进行戊二醛化学修饰；即得一面为层状Bragg反射器，另一面为光子晶体的基于多孔硅的阵列生物芯片。

主权项

一种基于多孔硅的阵列生物芯片的制备方法，其特征在于：步骤1：单晶硅片单面抛光，采用电化学方法制备出多孔硅Bragg多层结构，硅片未抛光的一面称为待光刻层；步骤2：在前述待光刻层上，进行高能激光刻蚀、聚焦电子或离子束刻蚀，得到表面为阵列光子晶体的硅片；步骤3：对得到的硅片进行后处理：硅烷化；步骤4：步骤3得到的硅烷化的硅片进行戊二醛化学修饰；即得一面为层状Bragg反射器，另一面为光子晶体的基于多孔硅的阵列生物芯片；通过步骤2的刻蚀技术得到的表面光子晶体层的厚度与通过步骤1得到的层状Bragg反射器的厚度比值为1:2‑3:4。