改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法

摘要

本发明提供了一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法。其中，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括依次执行的下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层二氧化硅层和垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；其中，所述凹槽的侧壁相对于与硅片表面垂直的线所成的角度介于15度至60之间；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离主体；剥离垫层氮化硅层，并剥离垫层二氧化硅层。

主权项

一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于包括：在硅衬底中形成浅沟槽隔离，并且制造以浅沟槽隔离隔开的NMOS器件和/或PMOS器件；其中，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括依次执行的下述步骤：在硅衬底表面依次淀积垫层二氧化硅层和垫层氮化硅层；对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；其中，所述凹槽的侧壁相对于与硅片表面垂直的线所成的角度介于15度至60之间；在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离主体；剥离垫层氮化硅层，并剥离垫层二氧化硅层。